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军事雷达氮化镓需求预期增加、科学新突破将增加金属锗在半导体方面的应用

军事雷达氮化镓需求预期增加、科学新突破将增加金属锗在半导体方面的应用
时间:2014-12-12 10:29 来源:英国金属网
 

    军事雷达氮化镓需求预期增加​

 

    英国金属网资讯:根据美国战略分析部分公布的报告称,受军事早期报警,监察,火控雷达方面市场的带动,氮化镓需求增强。

    北美战略分析部门一负责人Asif Anwa 在谈到2013-2023年的氮化镓发展趋势中称,10年期间,相关的半导体和其他器件市场将从12亿美元上涨到21亿美元,其中氮化镓的技术逐渐成熟,复合增长率在26.4%,在所有的雷达系统都有所应用。​

 

    氮化镓被看做是最有前景的材料,因其成本低廉、效率更高,很多公司在他们相关产品部件的设计中都采用氮化镓,并且民用方面的LED和电源放大器方面都有所应用。​

 

    美国战略分析部门报告称,2023年,军事早期报警,监察,火控雷达方面的应用将占据全球军事雷达市场的76%,届时市场价值将达到1850万美元。​

 

    北美战略分析部门另一负责人Eric Higham 表示,雷达的装船量在2023年预期的年复合增长率可达到4.1%,达到1,393个。火控雷达的产量会继续在传统的复合式雷达中占据主导位置,但是增幅最快的则来自新兴平台,像无人操纵系统和新型雷达方面。​

 

    科学新突破将增加金属锗在半导体方面的应用​

 

    英国金属网资讯:美国普度大学科学家研发出先进的锗电路,这是世界首次在半导体中,使用金属锗取代金属硅。​

 

    贝尔实验室在1947年成功研发世界第一个晶体管,当时使用的高纯锗便由普度大学提供。但是在19世界70年代,金属硅凭借其低成本,性能稳定等特性在半导体行业中占据着主导地位,并且95%的半导体都是由金属硅制成。​

 

    然而,受限于自身物理性能的局限性,使用金属硅的半导体在体积上不能满足越来越小的趋势,科学家正在极力寻找其他的可替代品,而金属锗可能再次在半导体中占据主导地位。​

 

    普度大学科学家称,与金属硅相比,金属锗具有较高的电子和电子黑洞迁徙性能,所以使研发高速电路成为可能。于此同时,科学家也研发了不同的方法来抑制金属锗的部分局限性,特别是在扩展不同类型的半导体中金属锗的应用。例如,他们发现,通过改变具有某种纯度的金属锗的物理性能和化学特性,可以使其更广泛的在半导体中得到应用。​

 

    然而,金属锗价格昂贵,属于稀缺金属。中国是金属锗的主产国,每年的金属锗全球产量在150吨左右。中国每年都会对金属锗进行收储。金属锗主要应用在光纤化学和夜视设备方面,在日本市场中也作为生产塑料瓶的催化剂。根据具体实际需要的性能特色,金属锗可能替代金属硅成为半导体的主要材料。


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